随着新能源发展，超高压输电技术将发挥更加重要的作用。而超高压输电系统容量的提升关键就是更大功率的IGBT芯片。IGBT芯片由成千上万个元胞组成，目前商业IGBT芯片设计软件仅能模拟单元胞特性，导致现有IGBT芯片电流能力限制在100A以内。

与中车时代电气副总工刘国友团队合作，首次实现了大规模IGBT元胞仿真与模拟，填补了世界IGBT大规模元胞仿真与建模的空白，进一步提出了多元胞均流调控方法，使得大尺寸IGBT芯片元胞级不均流度降低至80%,并首次成功设计并制造了4500V/600AIGBT芯片，系全球最大尺寸的IGBT单芯片，目前已在我国南方电网超高压直流输电系统中获得重要应用。