项目目标：
本项目针对第三代半导体碳化硅的晶圆表面平坦化需求，以化学机械抛光(CMP)技术为基础，目标为研发抛光液核心磨料及其配方，实现纳米级抛光磨粒粉体的制备、抛光液配液技术方案研发，结合抛光设备，力争提供完整可靠的碳化硅晶圆全局平坦化解决方案。本概念验证项目预期实现中心粒径300纳米甚至更小的氧化铝磨粒，中心粒径30纳米的氧化铈磨粒，基于核心磨料的自主可控进行抛光液的配方和工艺技术研发，分阶段实现成果转化，预计向半导体碳化硅行业提供CMP的材料和技术，包括1种工艺解决方案，3-5项技术专利或科学论文、培养1-2名专业人才、合作或孵化1家行业企业。预期到2025年完成产品验证，实现小规模量产，2026年完成产线建设，实现产能提升，通过5年左右的建设，实现碳化硅抛光材料及工艺技术的国产化，成长为国内有影响力的领域领军企业。
